STD80N240K6

STD80N240K6

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK(TO-252)

描述: 采用 DPAK 封装的 N 沟道 800 V、197 mOhm（典型值）、16 A MDmesh K6 功率 MOSFET

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 197mΩ@

STD80N240K6

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK(TO-252)

描述: 采用 DPAK 封装的 N 沟道 800 V、197 mOhm（典型值）、16 A MDmesh K6 功率 MOSFET

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 197mΩ@

C5268658_场效应管(MOSFET)_STD80N240K6_规格书_WJ457644.PDF