STH310N10F7-6

STH310N10F7-6

品牌: ST(意法半导体)

封装: H2PAK-6

描述: N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 180A

导通电阻(RDS(on)): 2.3mΩ@

STH310N10F7-6

品牌: ST(意法半导体)

封装: H2PAK-6

描述: N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 180A

导通电阻(RDS(on)): 2.3mΩ@

C2970486_场效应管(MOSFET)_STH310N10F7-6_规格书_WJ37313.PDF