STB120NF10T4-VB
品牌: VBsemi(微碧半导体)
封装: TO-263
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@
STB120NF10T4-VB
品牌: VBsemi(微碧半导体)
封装: TO-263
描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@
C5240586_场效应管(MOSFET)_STB120NF10T4-VB_规格书_WJ1214730.PDF
