STH3N150-2
品牌: ST(意法半导体)
封装: H2PAK-2
描述: N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 1.5kV
连续漏极电流(Id): 2.5A
耗散功率(Pd): 63W
STH3N150-2
品牌: ST(意法半导体)
封装: H2PAK-2
描述: N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 1.5kV
连续漏极电流(Id): 2.5A
耗散功率(Pd): 63W
C221471_场效应管(MOSFET)_STH3N150-2_规格书_WJ348354.PDF
电话：
0755-28745149
