STP4N150
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO-220
描述: N沟道,1500V,4A,5Ω@10V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 1.5kV
连续漏极电流(Id): 4A
导通电阻(RDS(on)): 7Ω@10V
STP4N150
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO-220
描述: N沟道,1500V,4A,5Ω@10V
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 1.5kV
连续漏极电流(Id): 4A
导通电阻(RDS(on)): 7Ω@10V
C457448_场效应管(MOSFET)_STP4N150_规格书_WJ00469.PDF
电话：
0755-28745149
