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STL220N6F7
品牌: ST(意法半导体)
封装: DFN-8(5x6)
描述: N沟道60 V、0.0012 Ohm典型值、260 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 120A
导通电阻(RDS(on)): 1.4mΩ@
C472533_场效应管(MOSFET)_STL220N6F7_规格书_WJ283240.PDF
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