STD18N55M5

STD18N55M5

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-252-2(DPAK)

描述: N沟道550 V、0.150 Ohm典型值、16 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 192mΩ@10V,8A

耗散功率(Pd): 110W

STD18N55M5

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-252-2(DPAK)

描述: N沟道550 V、0.150 Ohm典型值、16 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 192mΩ@10V,8A

耗散功率(Pd): 110W

C183258_场效应管(MOSFET)_STD18N55M5_规格书_ST(意法半导体)场效应管(MOSFET)规格书.PDF