STF28N65M2

STF28N65M2

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220FP

描述: N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@

STF28N65M2

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220FP

描述: N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@

C2970248_场效应管(MOSFET)_STF28N65M2_规格书_WJ51831.PDF