STL135N8F7AG

STL135N8F7AG

品牌: ST(意法半导体)

封装: VDFN-8-Power

描述: 汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@

STL135N8F7AG

品牌: ST(意法半导体)

封装: VDFN-8-Power

描述: 汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@

C2970402_场效应管(MOSFET)_STL135N8F7AG_规格书_WJ36498.PDF