STS2DNF30L

STS2DNF30L

品牌: ST(意法半导体)

封装: SO-8

描述: N沟道30V - 0.09 Ohm - 3A - SO-8 STripFET(TM) II功率MOSFET

类型: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@10V,1A

类目: 场效应管(MOSFET)

STS2DNF30L

品牌: ST(意法半导体)

封装: SO-8

描述: N沟道30V - 0.09 Ohm - 3A - SO-8 STripFET(TM) II功率MOSFET

类型: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@10V,1A

类目: 场效应管(MOSFET)

C361046_场效应管(MOSFET)_STS2DNF30L_规格书_WJ135363.PDF