STS4DNF60L
品牌: ST(意法半导体)
封装: SO-8
描述: -
类型: 2个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 4A
导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@10V,2A
类目: 场效应管(MOSFET)
STS4DNF60L
品牌: ST(意法半导体)
封装: SO-8
描述: -
类型: 2个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 4A
导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@10V,2A
类目: 场效应管(MOSFET)
C190867_场效应管(MOSFET)_STS4DNF60L_规格书_ST(意法半导体)场效应管(MOSFET)规格书.PDF
电话：
0755-28745149
