STD4NK100Z

STD4NK100Z

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-252

描述: 汽车级N沟道1000 V、5.6 Ohm典型值、2.2 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1kV

连续漏极电流(Id): 2.2A

导通电阻(RDS(on)): 6.8Ω@10

STD4NK100Z

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-252

描述: 汽车级N沟道1000 V、5.6 Ohm典型值、2.2 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1kV

连续漏极电流(Id): 2.2A

导通电阻(RDS(on)): 6.8Ω@10

C500959_场效应管(MOSFET)_STD4NK100Z_规格书_WJ109171.PDF