STD13NM60N
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO-252-2(DPAK)
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 11A
导通电阻(RDS(on)): 360mΩ@
STD13NM60N
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO-252-2(DPAK)
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 11A
导通电阻(RDS(on)): 360mΩ@
C183190_场效应管(MOSFET)_STD13NM60N_规格书_WJ197795.PDF
电话：
0755-28745149
