VNS7NV04PTR-E

VNS7NV04PTR-E

品牌: ST(意法半导体)

封装: SOIC-8

描述: OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET

负载类型: MOSFET

上升时间(tr): 470ns

下降时间: 350ns

工作温度: -40℃~+150℃

VNS7NV04PTR-E

品牌: ST(意法半导体)

封装: SOIC-8

描述: OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET

负载类型: MOSFET

上升时间(tr): 470ns

下降时间: 350ns

工作温度: -40℃~+150℃

C2969901_栅极驱动芯片_VNS7NV04PTR-E_规格书_WJ635131.PDF