VNS3NV04PTR-E
品牌: ST(意法半导体)
封装: SOIC-8
描述: OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
负载类型: MOSFET
上升时间(tr): 250ns
下降时间: 250ns
工作温度: -40℃~+150℃
VNS3NV04PTR-E
品牌: ST(意法半导体)
封装: SOIC-8
描述: OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
负载类型: MOSFET
上升时间(tr): 250ns
下降时间: 250ns
工作温度: -40℃~+150℃
C2970836_栅极驱动芯片_VNS3NV04PTR-E_规格书_WJ187931.PDF
电话：
0755-28745149
