STL8DN6LF3

STL8DN6LF3

品牌: ST(意法半导体)

封装: PowerFLAT-8(5x6)

描述: 汽车级双路N沟道60 V、22.5 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装

类型: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 7.8A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@5V,4A

类目: 场效应管(MOSFET)

STL8DN6LF3

品牌: ST(意法半导体)

封装: PowerFLAT-8(5x6)

描述: 汽车级双路N沟道60 V、22.5 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装

类型: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 7.8A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@5V,4A

类目: 场效应管(MOSFET)

C2688725_场效应管(MOSFET)_STL8DN6LF3_规格书_WJ1189840.PDF