STW62N65M5

STW62N65M5

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-247-3

描述: 汽车级N沟道650 V、0.041 Ohm典型值、46 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 46A

导通电阻(RDS(on)): 49mΩ@10V,23A

类目: 场效应管(MOSFET)

STW62N65M5

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-247-3

描述: 汽车级N沟道650 V、0.041 Ohm典型值、46 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 46A

导通电阻(RDS(on)): 49mΩ@10V,23A

类目: 场效应管(MOSFET)

C472627_场效应管(MOSFET)_STW62N65M5_规格书_ST(意法半导体)场效应管(MOSFET)规格书.PDF