STH13N120K5-2AG

STH13N120K5-2AG

品牌: ST(意法半导体)

封装: H2PAK-2

描述: 汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 620mΩ@10V,6A

类目: 场效应管(MOSFET)

STH13N120K5-2AG

品牌: ST(意法半导体)

封装: H2PAK-2

描述: 汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 620mΩ@10V,6A

类目: 场效应管(MOSFET)

C2971052_场效应管(MOSFET)_STH13N120K5-2AG_规格书_WJ205265.PDF