STP12N120K5

STP12N120K5

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220

描述: N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 620mΩ@10V,6A

STP12N120K5

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220

描述: N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 620mΩ@10V,6A

C495245_场效应管(MOSFET)_STP12N120K5_规格书_WJ68457.PDF