STW48N60DM2

STW48N60DM2

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-247-3

描述: N沟道600 V、0.065 Ohm典型值、40 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 79mΩ@

STW48N60DM2

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-247-3

描述: N沟道600 V、0.065 Ohm典型值、40 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 79mΩ@

C457474_场效应管(MOSFET)_STW48N60DM2_规格书_WJ84329.PDF