STD44N4LF6

STD44N4LF6

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

描述: N沟道40 V、8.9 mOhm、44 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 44A

导通电阻(RDS(on)): 8.9mΩ@

STD44N4LF6

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

描述: N沟道40 V、8.9 mOhm、44 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 44A

导通电阻(RDS(on)): 8.9mΩ@

C2965394_场效应管(MOSFET)_STD44N4LF6_规格书_ST(意法半导体)场效应管(MOSFET)规格书.PDF