STD35P6LLF6

STD35P6LLF6

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-252-2(DPAK)

描述: P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 28mΩ@

STD35P6LLF6

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-252-2(DPAK)

描述: P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 28mΩ@

C165929_场效应管(MOSFET)_STD35P6LLF6_规格书_WJ244984 (1).PDF