STD35NF06LT4

STD35NF06LT4

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

描述: N沟道60 V、0.014 Ohm典型值、35 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@

STD35NF06LT4

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

描述: N沟道60 V、0.014 Ohm典型值、35 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@

C2688623_场效应管(MOSFET)_STD35NF06LT4_规格书_WJ108489.PDF