STN1HNK60
品牌: ST(意法半导体)
封装: SOT-223-3
描述: N沟 600V 0.4A
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 400mA
导通电阻(RDS(on)): 8.5Ω@10
STN1HNK60
品牌: ST(意法半导体)
封装: SOT-223-3
描述: N沟 600V 0.4A
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 400mA
导通电阻(RDS(on)): 8.5Ω@10
C39303_场效应管(MOSFET)_STN1HNK60_规格书_WJ73625.PDF
电话：
0755-28745149
