STL6P3LLH6

STL6P3LLH6

品牌: ST(意法半导体)

封装: PowerFLAT-8(3.3x3.3)

描述: P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装

类型: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ

STL6P3LLH6

品牌: ST(意法半导体)

封装: PowerFLAT-8(3.3x3.3)

描述: P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装

类型: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 6A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ

C457492_场效应管(MOSFET)_STL6P3LLH6_规格书_WJ255128.PDF