STN3NF06L
品牌: ST(意法半导体)
封装: SOT-223-4
描述: N沟道,40V,6A
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 4A
耗散功率(Pd): 3.3W
STN3NF06L
品牌: ST(意法半导体)
封装: SOT-223-4
描述: N沟道,40V,6A
类型: 1个N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 4A
耗散功率(Pd): 3.3W
C222218_场效应管(MOSFET)_STN3NF06L_规格书_WJ327919.PDF
电话：
0755-28745149
